A transistor is operated in common emitter configuration at ${\mathrm{V}}_{\mathrm{c}}<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>10\mathrm{V}.$ When base current is changed from 10mA to 30mA, it produces a change in emitter current from 2A to 4A, the current amplification factor is

1.  100

2.  99

3.  10

4.  9

एक ट्रांजिस्टर उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में ${\mathrm{V}}_{\mathrm{c}}<mspace\; width="1em"></mspace>=<mspace\; width="1em"></mspace>10\mathrm{V}$ पर संचालित किया जाता है। जब आधार धारा को 10mA से 30mA में परिवर्तित किया जाता है, तब यह उत्सर्जक धारा में 2A से 4A का परिवर्तन उत्पन्न करता है। धारा प्रवर्धन कारक है

1. 100

2. 99

3. 10

4. 9

The current through an ideal p-n junction diode shown in the circuit will be -

1.  5 A

2.  0.2 A 

3.  0.6 A

4.  Zero

परिपथ में दर्शाए गए आदर्श p-n संधि डायोड में धारा की गणना कीजिए।

1.  5 A

2. 0.2 A

3. 0.6 A

4. शून्य 

$$
In the given circuit power developed in \(1 k \Omega\) resistor is

1.  36 mW

2.  12 mW

3.  144 mW

4.  64 mW

दिए गए परिपथ में \(1 k \Omega\) प्रतिरोधक में उत्पन्न शक्ति है:

1. 36 mW

2. 12 mW

3. 144 mW

4. 64 mW

In a common emitter transistor amplifier, the audio signal vlotage across the collector is 3V. The resistance of collector is 3k$\Omega$. If current gain is 100 and the base resistance is 2k$\Omega$, the voltage and power gain of the amplifier is 

उभयनिष्ठ उत्सर्जक ट्रांजिस्टर प्रवर्धक में, संग्राहक पर वोल्टेज 3V है। संग्राहक का प्रतिरोध 3k$\Omega$ है। यदि धारा लाभ 100 है और आधार प्रतिरोध 2k$\Omega$ है, प्रवर्धक का वोल्टेज और शक्ति लाभ ज्ञात कीजिए।

The given circuit has two ideal diodes connected as shown in the figure below. The current flowing through the resistance $R_1$ will be

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड को आरेख में दर्शाए गए अनुसार जोड़ा गया है। प्रतिरोध $R_1$ में प्रवाहित होने वाली धारा कितनी होगी?

The given graph represents V-I characteristic for a semiconductor device. Which of the following statement is correct?

दिया गया ग्राफ अर्धचालक उपकरण के लिए V-I अभिलक्षणिक को दर्शाता है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

The output (x) of logic circuit shown in figure will be 

1. $X=\stackrel{=}{A}·\stackrel{=}{B}$

2. $X=\overline{A.B}$

3. $X=A·B$

4. $X=\overline{A+B}$

आरेख में दर्शाए गए लॉजिक परिपथ का निर्गत (x) होगा -

1. $X=\stackrel{=}{A}·\stackrel{=}{B}$

2. $X=\overline{A.B}$

3. $X=A·B$

4. $X=\overline{A+B}$

C and Si both have same lattice structure,having 4 bonding electrons in each.However, C is insulator whereas Si is intrinsic semiconductor. This is because 

C और Si दोनों में समान जालक संरचना है, जिसमें प्रत्येक में 4 बंधित इलेक्ट्रॉन हैं। हालांकि, C विद्युतरोधी है जबकि Si नैज अर्धचालक है। यह किस कारण है?

Transfer characteristic [output voltage $\left(V_0\right)$ vs input voltage $\left(V_i\right)$] for a base biased transistor in CE configuration is as shown in the figure.For using transistor as a switch, it is used 

1. in region III
2. both in region (I) and (III)
3. in region II
4. in region I

उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में आधार बायस ट्रांजिस्टर के लिए स्थानांतरण अभिलक्षण [निर्गत वोल्टता $\left(V_0\right)$ बनाम निवेशी वोल्टता $\left(V_i\right)$] आरेख में दर्शाए गए अनुसार है। ट्रांजिस्टर का उपयोग स्विच के रूप में करने के लिए, यह उपयोग किया जाता है -

1. क्षेत्र III में
2. (I) और (III) दोनों क्षेत्र में 
3. क्षेत्र II में
4. क्षेत्र I में